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    • 专利摘要:
    Ein Verfahren zur Herstellung eines Glassubstrats für einen Maskenrohling hat die folgenden Schritte: Messen eines konvexen/konkaven Profils einer Oberfläche des Glassubstrats, Steuern der Ebenheit der Oberfläche des Glassubstrats auf einen Wert, der nicht größer als ein vorbestimmter Bezugswert ist, durch Festlegen des Konvexitätsgrads eines auf der Oberfläche des Glassubstrats vorhandenen konvexen Abschnitts anhand eines im Profilmeßschritt erhaltenen Meßergebnisses und Durchführen einer lokalen Bearbeitung am konvexen Abschnitt unter Bearbeitungsbedingungen, die vom Konvexitätsgrad abhängen, und nach dem Ebenheitssteuerschritt erfolgendes Polieren der Oberfläche des Glassubstrats, die der lokalen Bearbeitung unterzogen wurde, durch die Wirkung einer Bearbeitungsflüssigkeit, die zwischen der Oberfläche des Glassubstrats und einer Oberfläche eines Polierwerkzeugs ohne direkte Berührung dazwischen eingefügt ist.
    公开号:DE102004014953A1
    申请号:DE102004014953
    申请日:2004-03-26
    公开日:2004-11-04
    发明作者:Kesahiro Koike
    申请人:Hoya Corp；
    IPC主号:B24B37-00
    专利说明:
    [0001] DieErfindung beansprucht die Priorität gegenüber der früheren JP-A-2003-90682 , derenOffenbarung hierin durch Verweis eingefügt ist.
    [0002] DieErfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Glassubstratsfür einenMaskenrohling und ein Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlingssowie insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines Glassubstratsfür einenMaskenrohling zur Verwendung mit Licht in einem ultrakurzen Wellenlängenbereich,z. B. F2-Excimerlaser- (Fluor: mit einer Wellenlänge von 157 nm) und EUV-Licht(Extrem-Ultraviolett: mit einer Wellenlänge von 13 nm), als Belichtungslichtquelleund ein Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings dieser Art.
    [0003] Aufgrundder in den letzten Jahren erfolgten Verbesserung eines ULSI-Bauelements,das höhere Dichteund höhereGenauigkeit aufweist, muß ein Glassubstratfür einenMaskenrohling eine Substratoberfläche mit feinerer Struktur haben.Ein solcher Trend zur feineren Struktur der Substratoberfläche nimmtJahr fürJahr immer mehr zu. Insbesondere wird bei Verwendung einer Belichtungslichtquellemit kürzererWellenlängedie Anforderung an Profilgenauigkeit (Ebenheit) und Qualität (Fehlergröße) derSubstratoberflächehoch. Somit muß dasGlassubstrat füreinen Maskenrohling eine extrem hohe Ebenheit haben und frei vonmikroskopischen Fehlern sein.
    [0004] Beispielsweisemuß beiVerwendung eines F2-Excimerlasers als Belichtungslichtquelle das Glassubstrateine Ebenheit von 0,25 μmoder weniger und eine Fehlergröße von 0,07 μm oder weniger haben.Beim Einsatz von EUV-Licht als Belichtungslichtquelle muß das Glassubstrateine Ebenheit von 0,05 μmoder weniger und eine Fehlergröße von 0,05 μm oder wenigerhaben.
    [0005] ZurHerstellung eines Glassubstrats für einen Maskenrohling wurdebereits eine Präzisionspoliertechnikvorgeschlagen, mit der eine Oberflächenrauhigkeit reduziert werdensoll (siehe z. B. die JP-A-64-40267 (Dokument1)).
    [0006] Dieim Dokument 1 beschriebene Präzisionspoliertechnikweist die Schritte des Polierens der Substratoberfläche mitHilfe eines hauptsächlichCeroxid aufweisenden Schleifmittels und des anschließenden Fertigpolierensder Substratoberflächemit Hilfe von kolloidalem Siliciumdioxid auf. Beim Polieren desGlassubstrats durch die o. g. Technik wird gewöhnlich eine doppelseitige Poliervorrichtungvom Chargentyp verwendet, die mehrere Glassubstrate aufnehmen undgegenüberliegendeOberflächender Glassubstrate gleichzeitig polieren kann.
    [0007] Beidieser Präzisionspoliertechnikist es theoretisch möglich,eine gewünschteEbenheit durch Reduzieren der mittleren Korngröße von Schleifkörnern zuerreichen. Tatsächlichist aber unter dem Einfluß mechanischerGenauigkeit verschiedener Komponenten der Poliervorrichtung, u.a. eines Trägers zumHalten des Glassubstrats, eines Abrichttischs zum Einspannen desGlassubstrats und eines Planetengetriebemechanismus zum Bewegendes Trägers usw.,die stabil erhaltene Ebenheit des Glassubstrats auf etwa 0,5 μm begrenzt.
    [0008] Angesichtsdessen wurde vor kurzem ein Nivellierverfahren zum Nivellieren oderEbnen des Glassubstrats durch lokale Bearbeitung mit Hilfe von Plasmaätzen odereines Gascluster- Ionenstrahls vorgeschlagen(siehe z. B. die JP-A-2002-316835 (Dokument2) und JP-A-08-293483 (Dokument3)).
    [0009] Dasin den Dokumenten 2 und 3 offenbarte Nivellierverfahren weist diefolgenden Schritte auf: Messen des Oberflächenprofils (Konvexität und Konkavität, Spitzen-und Talwert) des Glassubstrats und Durchführen lokaler Bearbeitung aneinem konvexen Abschnitt unter Bearbeitungsbedingungen (z. B. die Plasmaätzmengeoder der Betrag des Gascluster-Ionenstrahls),die vom Konvexitätsgraddes konvexen Abschnitts abhängen,um die Oberflächedes Glassubstrats zu ebnen.
    [0010] BeiEinstellung der Ebenheit der Oberfläche des Glassubstrats durchdie lokale Bearbeitung mit Hilfe des Plasmaät zens oder des Gascluster-Ionenstrahlsbildet sich eine aufgerauhte Oberfläche oder ein Oberflächenfehler,z. B. eine Fehlstelle oder eine durch die Bearbeitung angegriffeneSchicht (beschädigteSchicht), auf dem Glassubstrat nach der lokalen Bearbeitung. Daherist es notwendig, die Oberfläche desGlassubstrats nach der lokalen Bearbeitung zu polieren, um die aufgerauhteOberflächezu reparieren oder den Oberflächenfehlerzu entfernen.
    [0011] Wirdaber eine Oberflächeeines Polierwerkzeugs, z. B. einer Polierscheibe, während desPolierens nach der lokalen Bearbeitung direkt mit der Oberfläche desGlassubstrats in Berührunggebracht, kann die Ebenheit der Oberfläche des Glassubstrats beeinträchtigt werden.Daher ist die Polierzeit auf eine extrem kurze Zeitspanne begrenzt.Damit wird es unmöglich,die aufgerauhte Oberfläche ausreichendzu reparieren und den Oberflächenfehlerausreichend zu entfernen.
    [0012] Daherbesteht eine Aufgabe der Erfindung darin, ein Verfahren zur Herstellungeines Glassubstrats füreinen Maskenrohling bereitzustellen, das einen Polierschritt aufweist,in dem eine Oberfläche desGlassubstrats, die lokaler Bearbeitung unterzogen wurde, poliertwird, um eine durch die lokale Bearbeitung aufgerauhte Oberfläche zu reparierenund um einen durch die lokale Bearbeitung verursachten Oberflächenfehlerzu entfernen, und das ein Glassubstrat, das hohe Ebenheit und Glätte hatund frei von Oberflächenfehlernist, bereitstellen kann, indem währenddes Polierschritts die aufgerauhte Oberfläche des Glassubstrats repariertund der Oberflächenfehlerdes Glassubstrats entfernt wird, während die Ebenheit der Oberfläche desGlassubstrats gewahrt bleibt.
    [0013] Eineweitere Aufgabe der Erfindung ist, ein Verfahren zur Herstellungeines Maskenrohlings durch Verwendung des o. g. Glassubstrats bereitzustellen.
    [0014] DieseAufgaben werden mit den Merkmalen der Ansprüche gelöst.
    [0015] Imbeanspruchten Verfahren wird während desPolierschritts, in dem die Oberfläche des Glassubstrats, dieder lokalen Bearbeitung unterzogen wurde, poliert wird, um einedurch die lokale Bearbeitung aufgerauhte Oberfläche zu repa rieren und durch dielokale Bearbeitung verursachte Oberflächenfehler zu entfernen, dieOberflächedes Glassubstrats durch berührungsfreiesPolieren durch die Wirkung der Bearbeitungsflüssigkeit poliert, die zwischender Oberflächedes Glassubstrats und der Oberfläche desPolierwerkzeugs ohne direkte Berührungdazwischen eingefügtist. Dadurch ist es möglich,die aufgerauhte Oberflächedes Glassubstrats zu reparieren und den Oberflächenfehler auf der Oberfläche des Glassubstratszu entfernen, währenddie Ebenheit der Oberflächedes Glassubstrats gewahrt bleibt.
    [0016] NachAnspruch 2 wird die Oberflächedes Glassubstrats mit einer extrem kleinen Kraft poliert, indemdie Bearbeitungsflüssigkeitmit der Oberfläche desGlassubstrats in Berührunggebracht wird, währenddas Glassubstrat zum Aufschwimmen gebracht wird, oder indem feinePulverteilchen veranlaßtwerden, mit der Oberflächedes Glassubstrats zu kollidieren, während das Glassubstrat zumAufschwimmen gebracht wird. Daher ist es möglich, nicht nur die durchdie lokale Bearbeitung aufgerauhte Oberfläche bis zu einer ultrafeinenOberflächenrauhigkeitzu reparieren, währenddie Ebenheit der Oberflächedes Glassubstrats gewahrt bleibt, sondern auch einen mikroskopischenOberflächenfehler(einen feinen Oberflächenfehler)zu entfernen.
    [0017] NachAnspruch 3 wird eine auf die Oberfläche des Glassubstrats wirkendePolierkraft minimiert, um eine Beeinträchtigung der Ebenheit als Ergebnis desPolierens zuverlässigzu vermeiden. Kommt die die alkalische wäßrige Lösung enthaltende Bearbeitungsflüssigkeitzum Einsatz, ist es möglich,nicht nur die Poliergeschwindigkeit zu erhöhen, sondern auch einen potentiellenFehler, z. B. eine Fehlstelle, freizulegen, die auf der Oberfläche desGlassubstrats vorhanden ist.
    [0018] NachAnspruch 4 ist es durch Steuern der Bewegungsgeschwindigkeit desIonenstrahls oder der Bewegungsgeschwindigkeit einer (eines) Plasmaquellenkammeroder -gehäusesje nach Konvexitätsgradeines konvexen Abschnitts auf der Oberfläche des Glassubstrats möglich, dielokale Bearbeitung am konvexen Abschnitt auf der Oberfläche des Glassubstratsordnungsgemäß durchzuführen und dieEbenheit auf einen Wert zu steuern, der nicht größer als ein vorbestimmter Bezugswertist.
    [0019] Alternativkann die Ionenstrahlintensitätoder die Plasmaintensitätje nach Konvexitätsgradeines konvexen Abschnitts auf der Oberfläche des Glassubstrats gesteuertwerden.
    [0020] NachAnspruch 5 kann durch Durchführen derlokalen Bearbeitung mit dem Ebenheits-Bezugswert von 0,25 μm das Maskenrohling-Glassubstrat für F2-Excimerlaser-Belichtungerhalten werden, das eine Ebenheit von 0,25 μm oder weniger haben muß.
    [0021] DurchDurchführender lokalen Bearbeitung mit dem Bezugswert von 0,05 μm für die Ebenheit kanndas Glassubstrat füreinen EUV-Maskenrohling erhalten werden, das eine Ebenheit von 0,05 μm oder wenigerhaben muß.
    [0022] NachAnspruch 6 wird ein Maskenrohling zur Belichtung mit einem F2-Excimerlaseroder der EUV-Maskenrohling erhalten, der eine gewünschte Ebenheithat, frei von einem Oberflächenfehlerist, und eine hohe Qualitäthat.
    [0023] Imfolgenden wird eine Ausführungsformder Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben.
    [0024] 1 ist ein Ablaufplan zurBeschreibung eines Herstellungsverfahrens eines Glassubstrats für einenMaskenrohling gemäß der Erfindung;
    [0025] 2 ist eine schematischeSchnittansicht einer Poliervorrichtung, die im Herstellungsverfahren gemäß der Erfindungverwendet wird.
    [0026] 3 ist eine schematischeSchnittansicht einer Float-Polishing-Vorrichtung,die im Herstellungsverfahren gemäß der Erfindungverwendet wird.
    [0027] 4 ist eine Schnittansichteines charakteristischen Teils der in 3 gezeigtenFloat-Polishing-Vorrichtung. 5 isteine schematische Schnittansicht einer EEM-Vorrichtung.
    [0028] 6A ist eine Schnittansichteines EUV-reflektierenden Maskenrohlings, der das Glassubstrat gemäß der Erfindungverwendet.
    [0029] 6B ist eine Schnittansichteiner EUV-reflektierenden Maske, die das Glassubstrat gemäß der Erfindungverwendet.
    [0030] 7 ist eine Ansicht zur Beschreibungeiner Musterübertragungunter Verwendung der reflektierenden Maske.
    [0031] Zunächst wirdanhand von 1 ein Verfahrenzur Herstellung eines Glassubstrats für einen Maskenrohling gemäß der Erfindungbeschrieben.
    [0032] Gemäß 1 weist ein Herstellungsverfahrendes Glassubstrats füreinen Maskenrohling gemäß der Erfindungauf: einen Vorbereitungsschritt (P-1), in dem ein Glassubstrat vorbereitetwird, das eine Oberflächeaufweist, die dem Präzisionspolieren unterzogenwird, einen Profilmeßschritt(P-2), in dem ein konvexes/konkaves Profil der Oberfläche des Glassubstratsgemessen wird, einen Ebenheitssteuerschritt (P-3), in dem die Ebenheitder Oberfläche desGlassubstrats durch lokale Bearbeitung gesteuert wird, und einenberührungsfreienPolierschritt (P-4), in dem die Oberfläche des Glassubstrats auf berührungsfreieWeise poliert wird.
    [0033] ImVorbereitungsschritt (P-1) erfolgt die Vorbereitung eines Glassubstrats,dessen eine Oberflächeoder gegenüberliegendeOberflächenpräzisionspoliertwerden, mit Hilfe einer Poliervorrichtung, die später beschriebenwird.
    [0034] DasGlassubstrat unterliegt keiner besonderen Beschränkung, sondern kann jedes Substrat sein,das als Maskenrohling geeignet verwendet wird. Zum Beispiel kannein Quarzglas, ein Natronkalkglas, ein Aluminiumsilikatglas, einBorsilikatglas und ein alkalifreies Glas zum Einsatz kommen.
    [0035] Beieinem Glassubstrat füreinen Maskenrohling zur Belichtung mit einem F2-Excimerlaser kannmit Fluor dotiertes Quarzglas verwendet werden, um die Absorptionvon Belichtungslicht möglichstweitgehend zu unterdrücken.
    [0036] Beieinem Glassubstrat füreinen EUV-Maskenrohling kann ein Glasmaterial mit einem geringen Wärmeausdehnungskoeffi zientinnerhalb eines Bereichs von 0 ± 1,0 × 10-7/°C, vorzugsweiseinnerhalb eines Bereichs von 0 ± 0,3 × 10-7/°C, verwendetwerden, um eine Verzerrung eines übertragenen Musters infolgevon Wärmewährendder Belichtung zu unterdrücken.
    [0037] ImEUV-Maskenrohling wird eine Anzahl von Filmen auf dem Glassubstratgebildet. Daher wird ein Glasmaterial verwendet, das hohe Steifigkeithat und eine Verformung infolge von Filmspannung unterdrücken kann.Insbesondere ist ein Glasmaterial mit hohem Elastizitätsmodulvon 65 GPa oder mehr bevorzugt. Zum Beispiel kann ein amorphes Glasverwendet werden, z. B. SiO2-TiO2-Glas, ein Quarzglas sowie ein kristallisiertesGlas mit darin abgelagertem β-Quarz-Mischkristall.
    [0038] Gemäß 2 hat eine Poliervorrichtung 10 einenPolierabschnitt aus einem Planetengetriebesystem mit einem Unterseitentisch 11,einem Oberseitentisch 12, einem Sonnenrad 13,einem Hohlrad 14, einem Träger 15 und einem Schleifmittelzufuhrteil 16.Der Polierabschnitt poliert die gegenüberliegenden Oberflächen desGlassubstrats durch Halten des Glassubstrats im Träger 15,Einspannen des Glassubstrats zwischen dem Ober- und Unterseitentisch 11 und 12 mitdaran befestigten Polierscheiben 11a bzw. 12a,Zuführeneines Schleifmittels in einem Bereich zwischen dem Ober- und Unterseitentisch 11 und 12 sowieDrehen und Umlaufenlassen des Trägers 15.Im folgenden wird der Aufbau des Polierabschnitts näher beschrieben.
    [0039] DerUnter- und Oberseitentisch 11 und 12 ist jeweilsein Scheibenteil mit einer ringförmigenHorizontalebene. Unter- undOberseitentisch 11 und 12 haben gegenüberliegendeOberflächen,an denen die Polierscheiben 11a und 12a befestigtsind. Unter- und Oberseitentisch 11 und 12 sindso abgestützt, daß sie umeine senkrechte Welle A drehbar sind (durch die Mitte des Polierabschnittslaufende senkrechte Welle), und sind jeweils (nicht gezeigten) Abrichttisch-Drehantriebsabschnittenzugeordnet. Angetrieben durch die Abrichttisch-Drehantriebsabschnittewerden der Unter- und Oberseitentisch 11 und 12 inDrehung versetzt.
    [0040] DerOberseitentisch 12 ist so abgestützt, daß er entlang der senkrechtenWelle A nach oben und unten beweglich ist. Angetrieben durch einen(nicht gezeigten) Oberseitentisch- Auf- und Abwärtsantriebsabschnitt wird derOberseitentisch 12 nach oben und unten bewegt.
    [0041] DasSonnenrad 13 ist in der Mitte des Polierabschnitts so angeordnet,daß esdrehbar ist. Angetrieben durch einen (nicht gezeigten) Sonnenrad-Antriebsabschnittwird das Sonnenrad 30 um die senkrechte Welle A gedreht.
    [0042] DasHohlrad 14 ist ein ringförmiges Rad mit einer Folgevon Zähnenauf einer Innenumfangsseite und ist außerhalb des Sonnenrads 13 soangeordnet, daß esmit ihm konzentrisch ist. Das Hohlrad 14 gemäß 2 ist so befestigt, daß es nichtdrehbar ist. Alternativ kann das Hohlrad 14 um die senkrechte WelleA drehbar sein.
    [0043] DerTräger(Planetenrad) 15 ist ein dünnes Plattenscheibenteil miteiner Folge von Zähnenauf einer Außenumfangsseiteund ist mit einer oder mehreren Werkstückhalteöffnungen zum Halten des Glassubstratsversehen.
    [0044] DerPolierabschnitt hat allgemein mehrere Träger 15. Diese Träger 15 stehenmit dem Sonnenrad 13 und dem Hohlrad 14 im Eingriffund werden um das Sonnenrad 13 in Übereinstimmung mit der Drehungdes Sonnenrads 13 (und/oder des Hohlrads 14) gedrehtund im Umlauf geführt.
    [0045] Ober-und Unterseitentisch 12 und 11 haben jeweils einenAußendurchmesser,der kleiner als der Innendurchmesser des Hohlrads 14 ist.Ein tatsächlicherPolierbereich ist ein ringartiger Bereich zwischen dem Sonnenrad 13 unddem Hohlrad 14 und zwischen dem Ober- und Unterseitentisch 12 und 11.
    [0046] DasSchleifmittelzufuhrteil 16 weist ein Schleifmittellager 16a zumLagern des Schleifmittels und mehrere Röhren 16b zum Zuführen desim Schleifmittellager 16a gelagerten Schleifmittels zum Polierbereichzwischen dem Ober- und Unterseitentisch 12 und 11 auf.
    [0047] DasSchleifmittel weist feine Schleifkörner auf, die in einer Flüssigkeitdispergiert sind. Zum Beispiel könnendie SchleifkörnerSiliciumcarbid, Aluminiumoxid, Ceroxid, Zirconiumoxid, Mangandioxidund kolloidales Siliciumdioxid sein.
    [0048] Jenach Material und Oberflächenrauhigkeit desGlassubstrats werden die Schleifkörner geeignet ausgewählt. DieSchleifkörnersind in einer Flüssigkeitdispergiert, z. B. Wasser, einer sauren Lösung oder einer alkalischenLösung,um als Schleifmittel verwendet zu werden.
    [0049] DerVorbereitungsschritt (P-1) weist mindestens einen Läppschritt,in dem die gegenüberliegendenOberflächendes Glassubstrats geläpptwerden, und einen Präzisionspolierschritt,in dem die gegenüberliegendenOberflächendes Glassubstrats nach dem Läppenpräzisionspoliertwerden, auf. Somit wird schrittweise poliert.
    [0050] Beispielsweisewird der Läppschrittmit Hilfe eines Schleifmittels durchgeführt, das durch Dispergierenvon Ceroxid als relativ großeSchleifkörnererhalten wird, währendder Präzisionspolierschrittmit Hilfe eines Schleifmittels durchgeführt wird, das durch Dispergierenvon kolloidalem Siliciumdioxid als relativ kleine Schleifkörner erhaltenwird.
    [0051] DerProfilmeßschritt(P-2) ist ein Schritt, in dem das konvexe/konkave Profil (Ebenheit)der Oberflächedes Glassubstrats, die im vorherigen Schritt (P-1) vorbereitet wurde,gemessen wird.
    [0052] Vorzugsweisewird das konvexe/konkave Profil durch eine Ebenheitsmeßvorrichtungoder ein Profilometer unter Nutzung optischer Interferenz im Hinblickauf die Meßgenauigkeitgemessen. Durch die Ebenheitsmeßvorrichtungerfolgt eine Messung durch Bestrahlen der Oberfläche des Glassubstrats mit kohärentem Licht,das dann als reflektiertes Licht reflektiert wird, und Detektiereneiner Phasendifferenz des reflektierten Lichts, die einer Höhendifferenz aufder Oberflächedes Glassubstrats entspricht.
    [0053] ZumBeispiel ist die Ebenheit als Differenz zwischen dem Maximalwertund Minimalwert einer Meßebeneder Oberflächedes Glassubstrats im Hinblick auf eine virtuelle Absolutebene (Brennebene) definiert,die anhand der Meßebenedurch ein Verfahren der kleinsten Quadrate berechnet wird.
    [0054] DasMeßergebnisdes konvexen/konkaven Profils wird in einem Aufzeichnungsmediumgespeichert, z. B. einem Computer.
    [0055] Anschließend wirddas Meßergebnismit einem vorbestimmten Bezugswert (Soll-Ebenheit) verglichen, dervorab auszuwählenist. Die Differenz zwischen dem Meßergebnis und dem Bezugswertwird berechnet, z. B. durch eine Arithmetikeinheit des Computers.Die Differenz wird fürjeden vorbestimmten Bereich auf der Oberfläche des Glassubstrats berechnet.Der vorbestimmte Bereich ist so festgelegt, daß er mit einem Bearbeitungsbereichbei der lokalen Bearbeitung zusammenfällt. Dadurch entspricht die Differenzin jedem vorbestimmten Bereich einer Soll-Abtragemenge, die beimlokalen Bearbeiten für jedenBearbeitungsbereich abzutragen ist.
    [0056] Dieo. g. Berechnung kann entweder im Profilmeßschritt (P-2) oder im Ebenheitssteuerschritt (P-3)durchgeführtwerden.
    [0057] DerEbenheitssteuerschritt (P-3) ist ein Schritt, in dem der Konvexitätsgrad einesauf der Oberflächedes Glassubstrats vorhandenen konvexen Abschnitts anhand des imProfilmeßschritt(P-2) erhaltenen Meßergebnissesfestgelegt wird und die lokale Bearbeitung am konvexen Abschnittunter den Bearbeitungsbedingungen, die dem Konvexitätsgrad entsprechen,durchgeführtwird, um die Ebenheit der Oberflächedes Glassubstrats auf einen Wert zu steuern, der nicht größer alsder vorbestimmte Bezugswert ist.
    [0058] Dielokale Bearbeitung wird unter den Bearbeitungsbedingungen durchgeführt, diefür jedenvorbestimmten Bereich auf der Oberfläche des Glassubstrats ausgewählt sind.Bestimmt werden die Bearbeitungsbedingungen anhand des konvexen/konkavenProfils der Oberflächedes Glassubstrats in der Messung durch die Ebenheitsmeßvorrichtungund der Differenz gegenüberdem vorbestimmten Bezugswert fürdie Ebenheit (Soll-Abtragemenge bei der lokalen Bearbeitung).
    [0059] Jenach Bearbeitungsvorrichtung unterscheiden sich die Parameter derBearbeitungsbedingungen. In jedem Fall sind die Parameter so bestimmt, daß eine größere Mengeabgetragen wird, wenn der Konvexitätsgrad des konvexen Abschnittsgrößer ist. Wirdz. B. die lokale Bearbeitung mit Hilfe eines Ionenstrahls oder vonPlasmaätzendurchgeführt,wird die Bewe gungsgeschwindigkeit des Ionenstrahls oder die Bewegungsgeschwindigkeitder Plasmaquellenkammer so gesteuert, daß sie mit zunehmendem Konvexitätsgrad langsamerwird. Alternativ kann die Ionenstrahlintensität oder die Plasmaintensität gesteuertwerden.
    [0060] Alslokales Bearbeitungsverfahren, das im Ebenheitssteuerschritt (P-3)zum Einsatz kommt, könnennicht nur das o. g. Ionenstrahlbearbeiten und Plasmaätzen, sondernauch verschiedene andere Verfahren verwendet werden, z. B. MRF (magnetorheologischeOberflächenbehandlung)und CMP (chemisch-mechanisches Polieren).
    [0061] Beider MRF wird ein zu bearbeitendes Objekt (Glassubstrat) lokal poliert,indem in einem magnetischen Fluid enthaltene Schleifkörner mitdem Objekt bei hoher Geschwindigkeit in Berührung gebracht werden und eineHaltezeit eines Berührungsabschnittszwischen den Schleifkörnernund dem Objekt gesteuert wird.
    [0062] ZumCMP gehörendie Schritte des Polierens eines konvexen Abschnitts der Oberfläche desObjekts durch Verwendung einer Polierscheibe mit kleinem Durchmesserund eines Schleifmittels (das Schleifkörner enthält, z. B. kolloidales Siliciumdioxid) unddurch Steuern der Haltezeit eines Berührungsabschnitts zwischen derPolierscheibe mit kleinem Durchmesser und dem Objekt (Glassubstrat).
    [0063] Vonden o. g. lokalen Bearbeitungsverfahren hinterläßt lokale Bearbeitung durchden Ionenstrahl, Plasmaätzenoder das CMP eine aufgerauhte Oberfläche oder eine durch Bearbeitungbeeinflußte Schichtauf der Oberflächedes Glassubstrats. Daher ist berührungsfreiesPolieren (was späterbeschrieben wird) besonders wirksam.
    [0064] Imfolgenden wird die lokale Bearbeitung durch Plasmaätzen undden Ionenstrahl beschrieben, die im Ebenheitssteuerschritt (P-3)besonders geeignet sind.
    [0065] Daslokale Bearbeitungsverfahren durch das Plasmaätzen weist die folgenden Schritteauf: Positionieren der Plasmaquellenkammer über einem abzutragenden Oberflächenabschnittund Strömenlassen eines Ätzgases,um so den abzutragenden Abschnitt zu ätzen. Durch Strömenlassendes Ätzgasesgreifen neutrale radikale Spezies, die im Plasma erzeugt werden,die Oberflächedes Glassubstrats isotrop an, so daß der o. g. Abschnitt abgetragenwird. Andererseits wird ein Restabschnitt, in dem die Plasmaquellenkammernicht angeordnet ist, nicht durch Kollision des Ätzgases geätzt, da kein Plasma erzeugtwird.
    [0066] BeimBewegen der Plasmaquellenkammer auf dem Glassubstrat wird die Abtragemengeeingestellt, indem die Bewegungsgeschwindigkeit der Plasmaquellenkammeroder die Plasmaintensitätin Übereinstimmungmit der Soll-Abtragemenge der Oberfläche des Glassubstrats gesteuertwird.
    [0067] DiePlasmaquellenkammer kann einen Aufbau haben, bei dem das Glassubstratdurch ein Elektrodenpaar eingespannt ist. Plasma wird zwischen demSubstrat und den Elektroden durch eine Hochfrequenzwelle erzeugt,und das Ätzgaswird zugeführt,um so eine radikale Spezies zu erzeugen. Alternativ kann die Plasmaquellenkammereine Wellenleiterröhreaufweisen, durch die das Ätzgasströmt. Plasmawird durch Mikrowellenschwingung erzeugt, um einen Strom einer radikalenSpezies zu produzieren, der auf die Oberfläche des Glassubstrats trifft.
    [0068] Das Ätzgas wirdje nach Material des Glassubstrats geeignet ausgewählt. ZumBeispiel wird ein Halogenverbindungsgas oder ein Mischgas verwendet,das eine Halogenverbindung enthält.Insbesondere könnenTetrafluormethan, Trifluormethan, Hexafluorethan, Octafluorpropan,Decafluorbutan, Fluorwasserstoff, Schwefelhexafluorid, Stickstofftrifluorid, Kohlenstofftetrachlorid,Siliciumtetrafluorid, Trifluorchlormethan und Bortrichlorid verwendetwerden.
    [0069] Daslokale Bearbeitungsverfahren durch den Ionenstrahl (Bestrahlungdurch den Gascluster-Ionenstrahl) weist die folgenden Schritte auf:Vorbereiten eines Stoffs, z. B. Oxid, Nitrid, Carbid, eines Edelgases,mit einer Gasphase bei Normaltemperatur und Normaldruck (Raumtemperaturund atmosphärischerDruck) oder eines Mischgases daraus (ein Stoff als Mischgas, dasdurch Mischen der o. g. Stoffe in einem geeigneten Verhältnis erhaltenwird), Bilden eines Gasclusters des Stoffs, Ionisieren des Gasclustersdurch Elektronenbestrah lung, um den Gascluster-Ionenstrahl zu bilden,und Bestrahlen einer massiven Oberfläche (Oberfläche des Glassubstrats) mit demGascluster-Ionenstrahl in einem Bestrahlungsbereich, der bei Bedarfgesteuert werden kann.
    [0070] Allgemeinweist der Cluster eine Gruppe aus mehreren Hunderten von Atomenoder Molekülen auf.Auch wenn die Beschleunigungsspannung 10 kV beträgt, tritt Bestrahlung als ultralangsamerIonenstrahl mit einer Energie auf, die nicht größer als mehrere zig eV je Atomoder Molekülist. Daher wird die Oberflächedes Glassubstrats mit extrem geringer Beschädigung bearbeitet.
    [0071] BeimBestrahlen der Oberflächedes Glassubstrats durch den Gascluster-Ionenstrahl kollidieren dieclusterionenbildenden Moleküleoder Atome mit Atomen der Oberflächedes Glassubstrats in mehreren Stufen, um reflektierte Moleküle oderAtome mit einer kinetischen Quer- oder Horizontalkomponente zu bilden.Als Ergebnis kommt es zu selektiver Zerstäubung am konvexen Abschnittauf der Oberflächedes Glassubstrats, um so die Oberfläche des Glassubstrats zu ebnen.Eine solche Einebnungserscheinung erhält man auch durch den Effekt derbevorzugten Zerstäubungjener Körneroder Atome, die auf der Oberflächevorhanden sind, und die durch die auf die Oberfläche des Glassubstrats konzentrierteEnergie eine schwache Bindung haben.
    [0072] DieErzeugung des Gasclusters selbst ist bereits bekannt. Das heißt, derGascluster kann hergestellt werden, indem ein gasförmiger Stoffin komprimiertem Zustand durch eine Expansionsdüse in eine Vakuumvorrichtunggeblasen wird. Der so hergestellte Gascluster kann durch Bestrahlungmit Elektronen ionisiert werden.
    [0073] Hierbeikann der gasförmigeStoff Oxid sein, z. B. CO2, CO, N2O, NOx und CxHyOz,O2, N2 und ein Edelgas,z. B. Ar und He.
    [0074] DieEbenheit, die fürdas Glassubstrat füreinen Maskenrohling erforderlich ist, wird entsprechend der Wellenlänge derBelichtungslichtquelle bestimmt, die für den Maskenrohling verwendetwird. Je nach Soll-Ebenheit wird der Bezugs wert zum Steuern derEbenheit im Ebenheitssteuerschritt (P-3) bestimmt.
    [0075] ZumBeispiel ist beim Glassubstrat füreinen Maskenrohling zur Belichtung mit einem F2-Excimerlaser derBezugswert zum Steuern der Ebenheit nicht größer als 0,25 μm. Beim Glassubstratfür einen EUV-Maskenrohlingist der Bezugswert zum Steuern der Ebenheit nicht größer als0,5 μm.Durch Verwendung des Bezugswerts wird die lokale Bearbeitung durchgeführt.
    [0076] DerberührungsfreiePolierschritt (P-4) ist ein Schritt, in dem die Oberfläche desGlassubstrats, die der lokalen Bearbeitung im Ebenheitssteuerschritt (P-3)unterzogen wurde, durch die Wirkung einer Bearbeitungsflüssigkeitpoliert wird, die zwischen der Oberfläche des Glassubstrats und einerOberfläche einesPolierwerkzeugs ohne direkte Berührungdazwischen eingefügtist.
    [0077] Einin diesem Schritt verwendetes berührungsfreies Polierverfahrenunterliegt keiner besonderen Beschränkung. Zum Beispiel können Float-Polishing,EEM und Hydroplane-Polishing verwendet werden.
    [0078] Alsfeine Pulverteilchen, die in der Bearbeitungsflüssigkeit enthalten sein müssen, diebeim berührungsfreienPolieren zum Einsatz kommt, sind Schleifkörner mit einer kleinen mittlerenKorngröße ausgewählt, umdie Oberflächenrauhigkeitdes Glassubstrats zu reduzieren. Vorzugsweise ist die mittlere Korngröße nichtgrößer alsmehrere zig Nanometer, stärkerbevorzugt nicht größer alsmehrere Nanometer. Als Schleifkörnermit einer kleinen mittleren Korngröße können Ceroxid, Siliciumdioxid(SiO2), kolloidales Siliciumdioxid, Zirconiumoxid,Mangandioxid und Aluminiumoxid verwendet werden. Unter anderem istkolloidales Siliciumdioxid im Hinblick auf die Oberflächenglätte beiVerwendung des Glassubstrats bevorzugt.
    [0079] BeimberührungsfreienPolieren kann die Bearbeitungsflüssigkeiteine wäßrige Lösung sein,die aus Wasser, einer sauren wäßrigen Lösung undeiner alkalischen wäßrigen Lösung ausgewählt ist.Alternativ kann die Bearbeitungsflüssigkeit eine Mischung ausder wäßrigen Lösung undden o. g. feinen Pulverteilchen sein.
    [0080] BeiVerwendung von Wasser sind Reinwasser und Ultrareinwasser bevorzugt.
    [0081] Alssaure wäßrige Lösung können Schwefelsäure, Salzsäure, Fluorwasserstoffsäure undFluorkieselsäureverwendet werden. Ist die saure wäßrige Lösung in der beim berührungsfreienPolieren verwendeten Bearbeitungsflüssigkeit enthalten, ist die Poliergeschwindigkeitverbessert. Allerdings kann je nach Art der Säure oder bei hoher Konzentrationder sauren wäßrigen Lösung dasGlassubstrat aufgerauht werden. Daher werden die Art der Säure und dieKonzentration geeignet ausgewählt,um das Glassubstrat nicht aufzurauhen.
    [0082] Alsalkalische wäßrige Lösung kanneine wäßrige Kaliumhydroxid-oder Natriumhydroxidlösungverwendet werden. Ist die alkalische wäßrige Lösung in der beim berührungsfreienPolieren verwendeten Bearbeitungsflüssigkeit enthalten, ist die Poliergeschwindigkeitverbessert. Ist ferner ein potentieller mikroskopischer Fehler (Riß, Fehlstelleo. ä.)auf der Oberflächedes Glassubstrats vorhanden, wird ein solcher potentieller mikroskopischerFehler freigelegt. Daher ist es möglich, den mikroskopischenFehler in einem anschließenddurchgeführten Kontrollschrittzuverlässigzu detektieren. Die alkalische wäßrige Lösung istin einem solchen Bereich eingestellt, daß die in der Bearbeitungsflüssigkeit enthaltenenSchleifkörnernicht gelöstwerden. Bevorzugt ist, die alkalische wäßrige Lösung so einzustellen, daß die Bearbeitungsflüssigkeiteinen pH-Wert von 9 bis 12 hat.
    [0083] Imfolgenden wird das Bearbeitungsprinzip jeweils durch Float-Polishing,EEM und Hydroplane-Polishing beschrieben. Eine beim Float-Polishing verwendetePolierplatte hat eine Oberflächemit mehreren Nuten zum Leiten der Bearbeitungsflüssigkeit und ist in eine solcheForm gebracht, daß eindynamischer oder kinetischer Druck erzeugt wird. Als Bearbeitungsflüssigkeitwerden feine Pulverteilchen verwendet, die eine mittlere Korngröße von mehrerenNanometern bis mehreren zig Nanometern haben und in einem Lösungsmittelsuspendiert sind (z. B. Reinwasser oder einer alkalischen wäßrigen Lösung). Inder Bearbeitungsflüssigkeitwerden die Polierplatte und ein zu bearbeitendes Objekt (Glassubstrat)in gleicher Richtung gleichzeitig in dem Zustand rotiert, in demeine Polierplattenachse (Hauptwelle) und eine Drehwelle des Objektsin einer vorbestimmten Entfernung außermittig zueinander sind.
    [0084] Hierbeikann das Objekt frei nach oben und unten schwimmen und nur ein darauf übertragenes Drehmomentempfangen. Durch einen dynamischen Druckeffekt wird ein kleinerSpalt zwischen dem Objekt und der Polierplatte gebildet, und dasObjekt schwimmt auf. Die feinen Pulverteilchen, die den Spalt durchlaufen,kollidieren mit einer Bearbeitungsfläche des Objekts, so daß die mikroskopischeZerstörungwiederholt wird. Dadurch erfolgt die Bearbeitung des Objekts. Aufgrunddes o. g. Prinzips kann das Objekt auf eine ultrafeine Oberflächenrauhigkeit bearbeitetwerden. Außerdemwird die Bearbeitung selbst mit kleiner Kraft durchgeführt, sodaß diebearbeitete Oberflächeohne eine durch Bearbeitung beeinflußte Schicht fertigbearbeitetwird.
    [0085] Istdas Objekt ein Glassubstrat, kann CeO2 (mitultrahoher Reinheit) oder kolloidales Siliciumdioxid als feine Pulverteilchenverwendet werden.
    [0086] BeimEEM handelt es sich um ein berührungsfreiesPolierverfahren, in dem feine Pulverteilchen von 0,1 μm oder wenigerin einem im wesentlichen unbelasteten Zustand mit dem Objekt inBerührunggebracht werden. Durch eine Wechselwirkung (eine Art chemischerBindung), die an der Grenzflächezwischen den feinen Pulverteilchen und dem Objekt erzeugt wird,werden Atome auf der Oberfläche desObjekts atomweise abgetragen. Gemäß diesem BearbeitungsprinziphängenBearbeitungskennwerte stark von der Affinität zwischen den feinen Pulverteilchenund dem Objekt ab. Um das Objekt rationell zu bearbeiten, sind diefeinen Pulverteilchen je nach Material des Objekts geeignet ausgewählt. Istdas Objekt z. B. ein Glassubstrat, können Zirconiumoxid, Aluminiumoxidund kolloidales Siliciumdioxid als feine Pulverteilchen verwendetwerden. Zur Verbesserung der Bearbeitungsgeschwindigkeit werden,um die Bearbeitungsflüssigkeitzu erhalten, die mit dem Objekt in Berührung gebracht wird, die feinenPulverteilchen in einem Lösungsmittelsuspendiert, das eine Erosion des Objekts verursacht.
    [0087] BeimHydroplane-Polishing ist das Objekt an einer scheibenförmigen Plattemit einem konischen Außenumfangbefestigt, so daß eszu einer Polierscheibe weist. Der Außenumfang der scheibenförmigen Platteist durch drei Rollen so abgestützt,daß dasObjekt von der Polierscheibe etwa 100 μm getrennt ist. Bildet sicheine Schleifschicht zwischen der Polierscheibe und dem Objekt undfüllt sichein Raum zwischen der Polierscheibe und dem Objekt mit dem Schleifmittel,so folgen das Objekt und die scheibenförmige Platte der Drehung derPolierscheibe, und die Bearbeitung wird durchgeführt.
    [0088] Alsnächsteswerden eine Float-Polishing-Vorrichtung und eine EEM-Vorrichtungbeschrieben.
    [0089] Gemäß 3 verfügt die Float-Polishing-Vorrichtung 20 über einenDrehtisch 21, einen zylindrischen Bearbeitungsbehälter 22,der auf dem Drehtisch 21 plaziert ist und in dem eine Bearbeitungsflüssigkeitlagert, eine Hauptwelle 23, die eine Drehwelle des Drehtisches 21 ist,eine Polierplatte 24, die auf dem Drehtisch 21 soangeordnet ist, daß siein einer vorbestimmten Entfernung im Hinblick auf die Hauptwelle 23 außermittigist, eine Werkstückhalterwelle 25,die mit der Polierplatte 24 konzentrisch ist, einen Werkstückhalter 26,der zur Polierplatte 24 weist und um die Werkstückhalterwelle 25 drehbar ist,und ein Bearbeitungsflüssigkeits-Zufuhrteil 27 zumBeliefern des Bearbeitungsbehälters 22 mitder feine Pulverteilchen enthaltenden Bearbeitungsflüssigkeit.
    [0090] DerDrehtisch 21 muß hoheSteifigkeit und Beständigkeitgegen die Bearbeitungsflüssigkeithaben. Daher ist der Drehtisch 21 aus einem Material mitdiesen Kennwerten hergestellt. Vorzugsweise wird ein rostfreierStahl verwendet. Ferner erfordert der Drehtisch 21 hoheDrehgenauigkeit und hohes Schwingungsdämpfungsvermögen. Daher ist der Drehtisch 21 vorzugsweisedurch ein Hochleistungslager abgestützt, z. B. ein hydrostatisches Öllager.
    [0091] DerDrehtisch 21 ist mit einem Abgabeanschluß (nichtgezeigt) zum Abgeben der Bearbeitungsflüssigkeit versehen, die vomBearbeitungsflüssigkeits-Zufuhrteil 27 zugeführt wird.Vor dem Abgabeanschluß istein Auffangmechanismus (nicht gezeigt) zum Auffangen von Bearbeitungsabfällen angeordnet,die durch das Float-Polishing erzeugt werden. Während der Bearbeitung wirdder Abgabeanschluß offengehalten. Durch Steuern der Menge der Bearbeitungsflüssigkeit,die vom Bearbeitungsflüssigkeits-Zufuhrteil 27 zugeführt wird,wird ein Flüssigkeitspegelder Bearbeitungsflüssigkeitim Bearbeitungsbehälter 22 aufrechterhalten.
    [0092] Angetriebendurch ein Drehantriebsteil (nicht gezeigt) wird der Drehtisch 21 umdie Hauptwelle 23 mit einer Drehzahl von mehreren zig U/minbis zu mehreren Hundert U/min gedreht.
    [0093] Angetriebendurch ein Drehantriebsteil (nicht gezeigt) wird der Werkstückhalter 26 miteiner Drehzahl von mehreren zig U/min bis zu mehreren HundertenU/min um die Werkstückhalterwelle 25 gedreht.Der Werkstückhalter 26 istso abgestützt,daß erauf und ab schwimmt und nur ein auf ihn übertragenes Antriebsdrehmomentempfängt.Dadurch kann der Werkstückhalter 26 während derBearbeitung auf und ab schwimmen. Der Werkstückhalter 26 wird in einerDrehrichtung gedreht, die mit der des Drehtisches 21 identischist.
    [0094] Daszu bearbeitende Objekt wird so gehalten, daß das Objekt keine Beschädigung,z. B. eine Fehlstelle, erhält.Beispielsweise ist das Objekt am Werkstückhalter 26 durchVakuumsog oder einen Kleber befestigt.
    [0095] DiePolierplatte 24 hat eine ringartige Form um die Hauptwelle 23 desDrehtisches 21 und eine Breite, die mindestens größer alsdie Größe des Objektsist. Da das Objekt um die Werkstückhalterwelle 25 aufder Polierplatte 24 gedreht wird, ist die Breite der Polierplatte 24 größer alsdie Diagonallängedes Objekts, wenn das Objekt eine Quadratform hat, und größer alsdie lange Diagonallängedes Objekts, wenn das Objekt eine Rechteckform hat.
    [0096] Gemäß 4 hat die Polierplatte 24 eine Oberseitemit nicht ebener Form oder konvexer/konkaver Form. Zwischen mehrerenkonvexen Abschnitten 24a sind mehrere Nuten 24b zumLeiten der Bearbeitungsflüssigkeitgebildet. Jeder der konvexen Abschnitte 24a hat ein Oberteil,das in zulaufender Form ausgebildet ist, um einen dynamischen Druck aufdas Objekt zu erzeugen. Durch einen Neigungswinkel der zulaufendenForm wird eine Aufschwimmkraft (Aufschwimmentfernung) des Objektsgesteuert. Der Neigungswinkel der zulaufenden Form ist je nach Größe des Objektso. ä. innerhalbeines Winkelbereichs von 1° bis20° geeigneteingestellt, so daß dieAufschwimmentfernung des Objekts mehrere Mikrometer beträgt. Hierbeiist die Aufschwimmentfernung eine Entfernung zwischen dem konvexenAbschnitt 24a der Polierplatte 24 und dem Objekt,d. h. ein Spalt, in dem die Bearbeitungsflüssigkeit vorhanden ist. DieBreite, die Tiefe und der Abstand der Nut 24b steuern dasLeiten der Bearbeitungsflüssigkeit. DieNut 24b hat eine zwischen 1 und 5 mm geeignet ausgewählte Breite,eine zwischen 1 und 10 mm geeignet ausgewählte Tiefe und einen zwischen0,5 und 30 mm geeignet ausgewähltenAbstand.
    [0097] DiePolierplatte 24 ist aus einem Material hergestellt, dasgegenüberder Bearbeitungsflüssigkeitbeständigist. Zum Beispiel könnenein rostfreier Stahl, Zinn, Keramik verwendet werden.
    [0098] Jenach Temperatur der Bearbeitungsflüssigkeit können die Polierplatte 24,der Drehtisch 21, der Werkstückhalter 26 und dasObjekt so wärmeverformtwerden, daß dieBearbeitungsgenauigkeit beeinflußt wird. Daher wird die Temperaturder Bearbeitungsflüssigkeitgenau gesteuert.
    [0099] Beispielsweiseweist die Bearbeitungsflüssigkeitein Lösungsmittelauf, z. B. Reinwasser, Ultrareinwasser, eine Base oder eine Säure odereine Mischung aus dem Lösungsmittelund darin enthaltenen feinen Pulverteilchen. Die Konzentration derfeinen Pulverteilchen liegt innerhalb eines Bereichs von 0,1 bis40 Gew.-%.
    [0100] DasBearbeitungsflüssigkeits-Zufuhrteil 27 kanndie Bearbeitungsflüssigkeitso zirkulieren lassen, daß dieaus dem Abgabeanschluß abgegebene Bearbeitungsflüssigkeitwieder in den Bearbeitungsbehälter 22 geführt wird,nachdem die in der Bearbeitungsflüssigkeit enthaltenen Bearbeitungsabfälle durcheinen Abscheider entfernt sind. Alternativ kann das Bearbeitungsflüssigkeits-Zufuhrteil 27 eineneue Bearbeitungsflüssigkeitdem Bearbeitungsbehälter 22 ineiner Menge zuführen, dieder aus dem Abgabeanschluß abgegebenenBearbeitungsflüssigkeit entspricht.Beim Float-Polishing ist die Dicke einer zwischen der Polierplatte 24 unddem Objekt eingefügtenBearbeitungsflüssigkeitsschichtein wichtiger Faktor. Daher wird die Menge der vom Bearbeitungsflüssigkeits-Zufuhrteil 27 zugeführten Bearbeitungsflüssigkeitmit hoher Genauigkeit gesteuert, um die Menge der Bearbeitungsflüssigkeitim Bearbeitungsbehälter 22 exaktzu steuern.
    [0101] Gemäß 5 verfügt die EEM-Vorrichtung 30 über einenBearbeitungsbehälter 31,in dem eine Bearbeitungsflüssigkeitlagert, ein Objekthalteteil 32 zum Halten eines Objektsim Bearbeitungsbehälter 31,eine Drehwelle 33, die sich zu einer Oberfläche desObjekts erstreckt, ein Drehteil 34, das um die Drehwelle 33 sobeweglich ist, daß dieBearbeitungsflüssigkeit(feine Pulverteilchen) vorzugsweise mit einem spezifischen Bereichauf der Oberflächedes Objekts in Berührunggebracht wird, ein Bewegungsteil 35 zum Bewegen des Drehteils 34 nachoben, unten, links und rechts bezüglich des Objekts und ein Bearbeitungsflüssigkeits-Zufuhrteil 36 zumZuführen derdie feinen Pulverteilchen enthaltenden Bearbeitungsflüssigkeitin den Bearbeitungsbehälter 31.
    [0102] DerBearbeitungsbehälter 31 istaus einem gegenüberder Bearbeitungsflüssigkeitbeständigen Materialhergestellt. Der Bearbeitungsbehälter 31 ist miteinem Abgabeanschluß 31a zumAbgeben der Bearbeitungsflüssigkeitversehen, die vom Bearbeitungsflüssigkeits-Zufuhrteil 36 zugeführt wird.Vor dem Abgabeanschluß 31a istein Auffangmechanismus (nicht gezeigt) zum Auffangen der durch EEM erzeugtenBearbeitungsabfälleangeordnet. Währendder Bearbeitung wird der Abgabeanschluß 31a offen gehalten.Durch Steuern der Menge der Bearbeitungsflüssigkeit, die vom Bearbeitungsflüssigkeits-Zufuhrteil 36 zugeführt wird,wird ein Flüssigkeitspegelder Bearbeitungsflüssigkeitim Bearbeitungsbehälter 31 aufrechterhalten.
    [0103] Daszu bearbeitende Objekt wird so gehalten, daß das Objekt keine Beschädigung,z. B. eine Fehlstelle, erhält.
    [0104] DieForm des Drehteils 34 ist in Entsprechung zum spezifischenBereich auf der Oberfläche desObjekts als Bereich geeignet ausgewählt, der mit der Bearbeitungsflüssigkeitbe vorzugt in Berührung (zurReaktion) zu bringen ist. Ist die Bearbeitungsflüssigkeit vorzugsweise mit einemrelativ schmalen Bereich in Berührungzu bringen, hat das Drehteil 34 eine Kugelform oder einelineare Form. Ist die Bearbeitungsflüssigkeit vorzugsweise mit einemrelativ großenBereich in Berührungzu bringen, hat das Drehteil 34 eine zylindrische Form.
    [0105] DasDrehteil 34 ist aus einem Material hergestellt, das gegenüber derBearbeitungsflüssigkeitbeständigist und geringe Elastizitäthat. Hat das Drehteil 34 hohe Elastizität (ist es relativ weich), kann während derDrehung eine Verformung auftreten, und die Form kann instabil werden,so daß dieBearbeitungsgenauigkeit beeinträchtigtist. Beispielsweise kann das Drehteil 34 aus Polyurethan,Glas, Keramik hergestellt sein.
    [0106] Imfolgenden wird ein Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlingsgemäß einerAusführungsformder Erfindung beschrieben.
    [0107] DasVerfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings gemäß der Erfindungweist die folgenden Schritte auf: Vorbereiten eines Glassubstrats,das durch das o. g. Verfahren zur Herstellung eines Glassubstratsfür einenMaskenrohling erhalten wird, und Bilden eines Dünnfilms als übertragenesMuster auf dem Glassubstrat.
    [0108] DenMaskenrohling teilt man in einen durchlässigen Maskenrohling und ineinen reflektierenden Maskenrohling ein. Bei jedem Maskenrohlingwird ein Dünnfilmals übertragenesMuster auf dem Glassubstrat gebildet. Ein Resistfilm kann auf demDünnfilm gebildetwerden.
    [0109] Derauf dem durchlässigenMaskenrohling gebildete Dünnfilmbewirkt eine optische Änderung imBelichtungslicht (von der Lichtquelle zur Belichtung abgestrahltesLicht), das bei der Musterübertragungauf ein Übertragungsobjektverwendet wird. Zum Beispiel kann der Dünnfilm ein Lichtabschirmfilm(ein opaker Film) zum Abschirmen des Belichtungslichts oder einPhasenschieberfilm zum Ändern derPhase des Belichtungslichts sein.
    [0110] Allgemeinkann der Lichtabschirmfilm ein Cr-Film, ein Cr-Legierungsfilm, derSauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoff oder Fluor zusätzlich zuCr selektiv enthält,ein laminierter Film daraus, ein MoSi-Film, ein MoSi-Legierungsfilm,der Sauerstoff, Stickstoff oder Kohlenstoff zusätzlich zu MoSi selektiv enthält, undein laminierter Film daraus sein.
    [0111] DiePhasenschiebermaske kann sein: ein SiO2-Filmmit ausschließlicheiner Phasenschieberfunktion, ein Metallsilicidoxidfilm, ein Metallsilicidnitridfilm,ein Metallsilicidoxynitridfilm, ein Metallsilicidoxycarbidfilm,ein Metallsilicidoxycarbonitridfilm (Metall: Übergangsmetall, z. B. Mo, Ti,W, Ta), von denen jeder eine Phasenschieberfunktion und eine Lichtabschirmfunktionhat, und ein Halbtonfilm, z. B. ein CrO-Film, ein CrF-Film und einSiON-Film.
    [0112] Derreflektierende Maskenrohling verfügt über ein Glassubstrat und einenlaminierten Film, der darauf gebildet ist und einen reflektierendenMehrschichtfilm (reflektierender. Mehrschichtfilm) und einen Lichtabsorberfilm(Absorberschicht) als übertragenesMuster aufweist.
    [0113] Derreflektierende Mehrschichtfilm kann einen periodischen Ru/Si-Mehrschichtfilm,einen periodischen Mo/Be-Mehrschichtfilm, einen periodischen Mo-Verbindung/Si-Verbindung-Mehrschichtfilm,einen periodischen Si/Nb-Mehrschichtfilm, einen periodischen Si/Mo/Ru-Mehrschichtfilm,einen periodischen Si/Mo/Ru/Mo-Mehrschichtfilm und einen periodischenSi/Ru/Mo/Ru-Mehrschichtfilm aufweisen.
    [0114] DerLichtabsorberfilm kann aus einem solchen Material wie Ta, Ta-Legierung(z. B. einem Ta und B enthaltenden Material, einem Ta, B und N enthaltendenMaterial), Cr, Cr-Legierung(z. B. einem Material, das Cr und mindestens ein Element enthält, dasaus Stickstoff, Sauerstoff, Kohlenstoff und Fluor ausgewählt ist)hergestellt sein.
    [0115] Für den durchlässigen Maskenrohlingkönneng-Strahlen (mit 436 nm Wellenlänge),i-Strahlen (mit 365 nm Wellenlänge),KrF (mit 246 nm Wellenlänge),ArF (mit 193 nm Wellenlänge)oder F2 (mit 157 nm Wellenlänge)als Wellenlängeder Belichtungslichtquelle verwendet werden. Für den reflektie renden Maskenrohlingkann EUV (mit 13 nm Wellenlänge)als Wellenlängeder Belichtungslichtquelle verwendet werden.
    [0116] Beispielsweisekann der o. g. Dünnfilmdurch Zerstäubunggebildet werden, z. B. Gleichstromsputtern, HF-Sputtern, Ionenstrahlsputtern.
    [0117] Imfolgenden werden Beispiele fürdie Erfindung im Zusammenhang mit einem Verfahren zur Herstellungeines Glassubstrats füreinen EUV-reflektierenden Maskenrohling (im folgenden einfach Glassubstratgenannt) und ein Verfahren zur Herstellung eines EUV-reflektierendenMaskenrohlings beschrieben. Leicht verständlich dürfte sein, daß die Erfindungnicht auf die nachfolgenden Beispiele beschränkt ist.
    [0118] Hergestelltwurde ein Glassubstrat (mit 152,4 mm × 152,4 mm Größe und 6,35mm Dicke), das durch Ceroxid-Schleifkörner und kolloidale Siliciumdioxid-Schleifkörner mitHilfe der o. g. Poliervorrichtung 10 schrittweise poliertwurde.
    [0119] DasOberflächenprofil(Ebenheit) des Glassubstrats wurde durch eine Ebenheitsmeßvorrichtungunter Nutzung optischer Interferenz gemessen. Als Ergebnis hattedas Glassubstrat eine Ebenheit von 0,2 μm (konvex) und eine Oberflächenrauhigkeit von0,15 nm als quadratischen Rauhtiefenmittelwert Rq (= Effektivwert).Der quadratische Rauhtiefenmittelwert Rq ist auch in der US-B2-6544893 offenbart.
    [0120] DasProfilmeßergebnisder Oberflächedes Glassubstrats wurde in einem Computer gespeichert und mit einemBezugswert von 0,05 μm(konvex) als Soll-Ebenheit fürdas Glassubstrat füreinen EUV-Maskenrohling verglichen. Die Differenz (Soll-Abtragemenge) zwischender gemessenen Ebenheit und dem Bezugswert wurde durch den Computerberechnet.
    [0121] Alsnächsteswurden fürjeden vorbestimmten Bereich (5-mm-Quadrat)innerhalb der Ebene des Glassubstrats die Bearbeitungsbedingungenfür lokalesPlasmaätzenin Entsprechung zur Soll-Abtragemenge bestimmt. Gemäß den sobestimmten Bearbeitungsbedingungen wurde das Profil durch das lokalePlasma ätzenso eingestellt, daß dieEbenheit des Glassubstrats nicht größer als der Bezugswert (Ebenheitvon 0,05 μm)war.
    [0122] Daslokale Plasmaätzenerfolgte mit Hilfe von Tetrafluormethan als Ätzgas und einer mit einer zylindrischenElektrode ausgerüstetenPlasmaquellenkammer vom Hochfrequenztyp.
    [0123] NachEinstellung des Profils durch das lokale Plasmaätzen wurde die Ebenheit derOberflächedes Glassubstrats gemessen. Als Ergebnis war die Ebenheit mit 0,05 μm ausgezeichnet.Die OberflächenrauhigkeitRq der Oberflächedes Glassubstrats betrug etwa 1 nm. Somit war die Oberfläche alsErgebnis des Plasmaätzensaufgerauht.
    [0124] DasGlassubstrat wurde auf der o. g. Float-Polishing-Vorrichtung 20 angeordnet undberührungsfreipoliert.
    [0125] DiePolierbedingungen beim Float-Polishing waren wie folgt: Bearbeitungsflüssigkeit(Polierbrei): Reinwasser und feine Pulverteilchen (Konzentration2 Gew.-%) Feine Pulverteilchen: Siliciumdioxid (SiO2) mit einer mittleren Korngröße von etwa70 nm Drehzahl des Drehtisches: 5 bis 200 U/min Drehzahldes Werkstückhalters:10 bis 300 U/min Polierzeit: 5 bis 30 min
    [0126] Anschließend wurdedas Glassubstrat durch eine alkalische wäßrige Lösung gereinigt, um das Glassubstratfür einenEUV-Maskenrohling zu erhalten.
    [0127] Gemessenwurden die Ebenheit und Oberflächenrauhigkeitdes so erhaltenen Glassubstrats. Als Ergebnis war die Ebenheit mit0,05 μmausgezeichnet, d. h. der Wert vor dem Float-Polishing blieb gewahrt. Die OberflächenrauhigkeitRq betrug 0,09 nm. Somit wurde die vor dem Float-Polishing aufgerauhteOberflächedes Glassubstrats repariert.
    [0128] DieOberflächedes Glassubstrats wurde durch eine in der JP-A-11-242001 beschriebeneFehlerkontrollvorrichtung auf Oberflächenfehler kontrolliert. Durchdie Kontrollvorrichtung erfolgte eine Fehlerkontrolle durch Einleiteneines Laserstrahls von einer abgefasten Oberfläche des Substrats, Einschließen desLaserstrahls durch Totalreflexion und Detektieren von Licht, dasdurch den Fehler gestreut wird und aus dem Substrat austritt. AlsErgebnis der Fehlerkontrolle wurde keine Fehlstelle mit einer Größe über 0,05 μm ermittelt.
    [0129] Somiterfülltedas so erhaltene Glassubstrat die Spezifikationen, die für ein Glassubstratfür einen EUV-Maskenrohling gefordertwerden.
    [0130] EinGlassubstrat wurde ähnlichwie im Beispiel 1 mit der Ausnahme hergestellt, daß das Float-Polishingunter den folgenden Bedingungen durchgeführt wurde: Bearbeitungsflüssigkeit(Polierbrei): alkalische wäßrige Lösung (NaOH)und feine Pulverteilchen (Konzentration 2 Gew.-%), pH-Wert: 11 FeinePulverteilchen: kolloidales Siliciumdioxid mit einer mittleren Korngröße von etwa70 nm Drehzahl des Drehtisches: 5 bis 200 U/min Drehzahldes Werkstückhalters:10 bis 300 U/min Polierzeit: 3 bis 25 min
    [0131] Anschließend wurdedas Glassubstrat durch eine alkalische wäßrige Lösung (NaOH) gereinigt, um dasGlassubstrat füreinen EUV-Maskenrohling zu erhalten.
    [0132] Gemessenwurden die Ebenheit und Oberflächenrauhigkeitdes so erhaltenen Glassubstrats. Als Ergebnis waren die Ebenheitund Oberflächenrauhigkeitim wesentlichen die gleichen wie die des im Beispiel 1 erhaltenenGlassubstrats. Die Oberflächedes Glassubstrats wurde durch die in der JP-A-11-242001 beschriebene Fehlerkontrollvorrichtungauf Oberflächenfehlerkontrolliert. Als Ergebnis wurde keine Fehlstelle mit einer Größe über 0,05 μm ermittelt.Durch Verwendung der alkalischen wäßrigen Lösung als Lösungsmittel der Bearbeitungsflüssigkeitwurde die Poliergeschwindigkeit verbessert und die Polierzeit verkürzt.
    [0133] EinGlassubstrat wurde ähnlichwie im Beispiel 1 mit der Ausnahme hergestellt, daß das Float-Polishingunter den folgenden Bedingungen durchgeführt wurde: Bearbeitungsflüssigkeit(Polierbrei): alkalische wäßrige Lösung (NaOH)5 Vol.-% Feine Pulverteilchen: keine Drehzahl des Drehtisches:5 bis 200 U/min Drehzahl des Werkstückhalters: 10 bis 300 U/min Polierzeit:7 bis 45 min
    [0134] Anschließend wurdedas Glassubstrat durch Reinwasser gereinigt, um das Glassubstratfür einen EUV-Maskenrohlingzu erhalten.
    [0135] Gemessenwurden die Ebenheit und Oberflächenrauhigkeitdes so erhaltenen Glassubstrats. Als Ergebnis waren die Ebenheitund Oberflächenrauhigkeitim wesentlichen die gleichen wie die des im Beispiel 1 erhaltenenGlassubstrats. Die Oberflächedes Glassubstrats wurde durch die in der JP-A-11-242001 beschriebene Fehlerkontrollvorrichtungauf Oberflächenfehlerkontrolliert. Als Ergebnis wurde keine Fehlstelle mit einer Größe über 0,05 μm ermittelt.Durch Verwendung der alkalischen wäßrigen Lösung als Lösungsmittel der Bearbeitungsflüssigkeitwurde die Poliergeschwindigkeit verbessert und die Polierzeit verkürzt.
    [0136] EinGlassubstrat wurde ähnlichwie im Beispiel 1 mit der Ausnahme hergestellt, daß das EEM alsberührungsfreiesPolieren durchgeführtwurde, nachdem die Ebenheit durch das lokale Plasmaätzen eingestelltwar. Das EEM wurde unter den folgenden Bedingungen durchgeführt: Bearbeitungsflüssigkeit(Polierbrei): Reinwasser und feine Pulverteilchen (Konzentration3 Gew.-%) Feine Pulverteilchen: Zirconiumoxid (ZrO2)mit einer mittleren Teilchengröße von etwa60 nm Drehteil: Polyurethanrolle Drehzahl des Drehteils:10 bis 300 U/min Drehzahl des Werkstückhalters: 10 bis 100 U/min Polierzeit:5 bis 30 min
    [0137] Anschließend wurdedas Glassubstrat durch eine alkalische wäßrige Lösung gereinigt, um das Glassubstratfür einenEUV-Maskenrohling zu erhalten.
    [0138] Gemessenwurden die Ebenheit und Oberflächenrauhigkeitdes so erhaltenen Glassubstrats. Als Ergebnis war die Ebenheit mit0,05 μmausgezeichnet, d. h. der Wert vor dem Float- Polishing blieb gewahrt. Die OberflächenrauhigkeitRq betrug 0,11 nm. Somit war die vor EEM-Durchführung aufgerauhte Oberfläche desGlassubstrats repariert. Die Oberflächenrauhigkeit war etwas größer alsin den Beispielen 1 bis 3, vermutlich unter dem Härteeinfluß der feinenPulverteilchen.
    [0139] DieOberflächedes Glassubstrats wurde durch eine in der JP-A-11-242001 beschriebeneFehlerkontrollvorrichtung auf Oberflächenfehler kontrolliert. AlsErgebnis wurde keine Fehlstelle mit einer Größe über 0,05 μm ermittelt.
    [0140] Damiterfülltedas beschreibungsgemäß erhalteneGlassubstrat die Spezifikationen, die für ein Glassubstrat für einenEUV-Maskenrohling gefordert werden.
    [0141] EinGlassubstrat wurde ähnlichwie im Beispiel 2 mit der Ausnahme hergestellt, daß als Polierennach Einstellung der Ebenheit durch das lokale Plasmaätzen einseitigesPolieren auf die folgende Weise durchgeführt wurde: Das Glassubstratwurde auf einer Polierplatte angeordnet, die zu einem Polierabrichttischwies. Das Glassubstrat wurde in Drehung versetzt und nach untenan einen Polierscheibenbereich auf dem Polierabrichttisch gedrückt, der inDrehung versetzt worden war. Das einseitige Polieren wurde unterden folgenden Bedingungen durchgeführt: Bearbeitungsflüssigkeit(Polierbrei): alkalische wäßrige Lösung (NaOH)und feine Pulverteilchen (Konzentration 2 Gew.-%), pH-Wert: 11 FeinePulverteilchen: kolloidales Siliciumdioxid mit einer mittleren Korngröße von etwa70 nm Drehzahl des Polierabrichttisches: 1 bis 50 U/min Drehzahlder Polierplatte: 1 bis 50 U/min Bearbeitungsdruck: 0,1 bis10 kPa Polierzeit: 1 bis 10 min
    [0142] Anschließend wurdedas Glassubstrat durch eine alkalische wäßrige Lösung (NaOH) gereinigt, um dasGlassubstrat füreinen EUV-Maskenrohling zu erhalten.
    [0143] Gemessenwurden die Ebenheit und die Oberflächenrauhigkeit des so erhaltenenGlassubstrats. Als Ergebnis war die Oberflächenrauhigkeit Rq mit 0,15nm ausgezeichnet. Die Eben heit betrug 0,25 μm, was schlechter verglichenmit der vor dem einseitigen Polieren und der vor der Einstellungder Ebenheit durch das lokale Plasmaätzen war.
    [0144] DieOberflächedes Glassubstrats wurde durch die in der JP-A-11-242001 beschriebeneFehlerkontrollvorrichtung auf Oberflächenfehler kontrolliert. AlsErgebnis wurde eine Anzahl von Fehlstellen über 0,05 μm festgestellt. Vermutlich istder Grund dafür,daß inder Polierscheibe vorhandene Fremdstoffe das Glassubstrat beim Polierenbeschädigten, dadas Polieren in dem Zustand erfolgt, in dem das Glassubstrat mitder Polierscheibe in Berührunggebracht ist.
    [0145] AlsErgebnis erfülltedas im Vergleichsbeispiel erhaltene Glassubstrat nicht die für ein Glassubstratfür einenEUV-Maskenrohlinggeforderten Spezifikationen.
    [0146] Anhandvon 6A und 6B wird die Herstellung desEUV-reflektierendenMaskenrohlings und der EUV-reflektierenden Maske beschrieben.
    [0147] Aufeinem Glassubstrat 101, das in jedem der Beispiele 1 bis4 oder im Vergleichsbeispiel erhalten wurde, wurden 40 PeriodenSi-Filme und Mo-Filme durch Gleichstrom-Magnetronsputtern laminiert. Hiersei angemerkt, daß eineeinzelne Ablagerungsperiode einen Si-Film mit 4,2 nm Dicke und einen Mo-Film mit 2,8 nm Dickeaufweist. Danach wurde ein weiterer Si-Film mit 11 nm Dicke gebildet. Dadurchwurde ein reflektierender Mehrschichtfilm 102 hergestellt.Als nächsteswurden durch Gleichstrom-Magnetronsputtern ein Chromnitrid- (CrN)Film mit 30 nm Dicke als Pufferschicht 103 und ein TaBN-Filmmit 60 nm Dicke als Absorberschicht 104 auf dem reflektierendenMehrschichtfilm 102 gebildet. Dadurch wurde der EUV-reflektierendeMaskenrohling 100 erhalten.
    [0148] ImAnschluß wurdemit Hilfe des EUV-reflektierenden Maskenrohlings 100 eineEUV-reflektierende Maske 100a mit einem 16-Gbit-DRAM-Mustermit 0,07 μmEntwurfsmaß hergestellt.
    [0149] Zunächst wurdeein EB-Resist auf den EUV-reflektierenden Maskenrohling 100 aufgebracht.Durch EB-Schreiben und Entwicklung wurde ein Resistmuster gebildet.
    [0150] Alsnächsteswurde mittels des Resistmusters als Maske die Absorberschicht 104 mitHilfe von Chlor trockengeätzt,um ein Absorbermuster 104a auf dem EUV-reflektierendenMaskenrohling 100 zu bilden.
    [0151] Dasauf dem Absorbermuster 104a verbleibende Resistmuster wurdedurch heißeSchwefelsäureentfernt. Danach wurde nach dem Absorbermuster 104a diePufferschicht 103 mit Hilfe eines Mischgases aus Chlorund Sauerstoff trockengeätzt, umeine gemusterte Pufferschicht 103a zu bilden. Dadurch wurdedie EUV-reflektierende Maske 100a erhalten.
    [0152] Anhandvon 7 wird im folgendenein Verfahren zur Übertragungeines Musters durch EUV-Licht auf ein mit einem Resist versehenesHalbleitersubstrat unter Verwendung der EUV-reflektierenden Maske 100a beschrieben.
    [0153] Einein der Zeichnung dargestellte Musterübertragungsvorrichtung 120 weisteine Laserplasma-Röntgenquelle 121,die EUV-reflektierende Maske 100a und ein reduzierendesoptisches System 122 auf. Das reduzierende optische System 122 weisteinen Röntgenreflexionsspiegelauf. Das durch die EUV-reflektierende Maske 100a reflektierteMuster wird auf etwa 1/4 reduziert. Da das Wellenlängenbandvon 13 bis 14 nm als Belichtungswellenlänge verwendet wird, ist einoptischer Weg vorab im Vakuum positioniert.
    [0154] Indiesem Zustand fälltvon der Laserplasma-Röntgenquelle 121 abgestrahltesEUV-Licht auf die EUV-reflektierende Maske 100a. Das durchdie EUV-reflektierende Maske 100a reflektierte Licht wird zummit einem Resist versehenen Halbleitersubstrat 110 über dasreduzierende optische System 122 übertragen.
    [0155] Insbesonderewird das auf die EUV-reflektierende Maske 100a fallendeLicht durch die Absorberschicht 104 absorbiert und nichtin einem Bereich reflektiert, in dem das Absorbermuster 104a vorhanden ist.Dagegen wird das auf einen Restbereich fallende Licht, in dem dasAbsorbermuster 104a nicht vorhanden ist, durch den reflektierendenMehrschichtfilm 102 reflektiert. Dadurch wird ein Muster,das durch das von der EUV-reflektierenden Maske 100a reflektierteLicht gebildet ist, überdas reduzierende optische System 122 zu einer Resistschichtauf dem Halbleitersubstrat 110 übertragen.
    [0156] DurchVerwendung der EUV-reflektierenden Maske 100a mit dem injedem der Beispiele 1 bis 4 und im Vergleichsbeispiel erhaltenenGlassubstrat 101 wurde eine Musterübertragung auf das Halbleitersubstratdurch das o. g. Musterübertragungsverfahrendurchgeführt.Als Ergebnis wurde bestätigt, daß die EUV-reflektierendeMaske 100a in jedem der Beispiele 1 bis 4 eine Genauigkeitvon 16 nm oder weniger hatte, was beim Entwurfsmaß von 0,07 μm gefordertist. Dagegen erfülltedie EUV-reflektierende Maske 100a imVergleichsbeispiel nicht die Genauigkeit von 16 nm oder weniger,die beim Entwurfsmaß von0,07 μmgefordert ist.
    [0157] Wiezuvor beschrieben wurde, ist es erfindungsgemäß möglich, ein Verfahren zur Herstellung einesGlassubstrats füreinen Maskenrohling bereitzustellen, das einen Polierschritt aufweist,in dem eine einer lokalen Bearbeitung unterzogene Oberfläche desGlassubstrats poliert wird, um eine durch die lokale Bearbeitungaufgerauhte Oberflächezu reparieren und einen durch die lokale Bearbeitung verursachtenOberflächenfehlerzu entfernen, und das ein Glassubstrat bereitstellen kann, das hoheEbenheit und Glättehat sowie frei von einem Oberflächenfehlerist, dadurch dass die aufgerauhte Oberfläche des Glassubstrats repariertund der Oberflächenfehler desGlassubstrats währenddes Polierschritts entfernt wird, während die Ebenheit der Oberfläche des Glassubstratsgewahrt bleibt. Möglichist auch, ein Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings durchVerwendung des o. g. Glassubstrats bereitzustellen.
    [0158] Obwohldie Erfindung im Zusammenhang mit wenigen bevorzugten Ausführungsformenoder Beispielen dargestellt und beschrieben wurde, wird dem Fachmannleicht klar sein, daß dieErfindung nicht auf die vorstehende Beschreibung beschränkt ist,sondern auf verschiedene andere Weise geändert und abgewandelt seinkann, ohne vom Grundgedanken und Schutzumfang der Erfindung gemäß den beigefügten Ansprüchen abzuweichen.
    权利要求:
    Claims (8)
    [1] Verfahren zur Herstellung eines Glassubstrats für einenMaskenrohling, wobei das Verfahren aufweist: einen Profilmeßschrittzum Messen eines konvexen/konkaven Profils einer Oberfläche desGlassubstrats füreinen Maskenrohling; einen Ebenheitssteuerschritt zum Steuernder Ebenheit der Oberflächedes Glassubstrats auf einen Wert, der nicht größer als ein vorbestimmter Bezugswertist, durch Festlegen des Konvexitätsgrads eines auf der Oberfläche desGlassubstrats vorhandenen konvexen Abschnitts anhand eines im Profilmeßschritterhaltenen Meßergebnissesund zum lokalen Bearbeiten am konvexen Abschnitt unter Bearbeitungsbedingungen,die vom Konvexitätsgradabhängen;und einen berührungsfreienPolierschritt nach dem Ebenheitssteuerschritt zum Polieren der Oberfläche des Glassubstrats,die der lokalen Bearbeitung unterzogen wurde, durch die Wirkungeiner Bearbeitungsflüssigkeit,die zwischen der Oberflächedes Glassubstrats und einer Oberfläche eines Polierwerkzeugs ohnedirekte Berührungdazwischen eingefügt ist.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, wobei der berührungsfreiePolierschritt durch Float-Polishing, Elastic Emission Machining(EEM) oder Hydroplane-Polishing durchgeführt wird.
    [3] Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei: dieBearbeitungsflüssigkeitaufweist: eine wäßrige Lösung, dieaus Wasser, einer sauren wäßrigen Lösung undeiner alkalischen wäßrigen Lösung ausgewählt ist;oder eine Mischung aus der wäßrigen Lösung und mindestens einer Artvon feinen Pulverteilchen, die aus kolloidalem Siliciumdioxid, Ceroxid,Zirconiumoxid und Aluminiumoxid ausgewählt sind.
    [4] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die lokaleBearbeitung durch Plasmaätzen odereinen Gascluster-Ionenstrahl durchgeführt wird.
    [5] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Bezugswertnicht größer als0,25 μmist.
    [6] Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings mitdem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 und Bilden einesDünnfilmsals übertragenes Musterauf dem Glassubstrat.
    [7] Verfahren zur Herstellung einer Übertragungsmaske mit dem Verfahrennach Anspruch 6 und Erstellung von Mustern auf dem Dünnfilm desMaskenrohlings, um ein Dünnfilmmusterauf dem Glassubstrat zu bilden.
    [8] Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementsmit dem Verfahren nach Anspruch 7 und Übertragen des Dünnfilmmustersder Übertragungsmaskeauf ein Halbleitersubstrat durch Lithographie.
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2004-11-04| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2006-01-12| 8125| Change of the main classification|Ipc: B24B724 20060101 |
    2011-01-20| 8139| Disposal/non-payment of the annual fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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